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金属屏蔽金属屏蔽的作用:1)形成工作电场的低压电极,部有毛时也会形成电场强度很大的情况,因此,也要力图使导体表面尽量到光滑圆整。2)电容电流及故障电流的通路,因此也有一定的截面要求。半导电屏蔽层半导电屏蔽层是中高压电缆采用的一项改善金属电极表面电场分布,同时绝缘表面耐电强度的重要措施。

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作为学习者,问人可能更方便点,但一直这样是培养不出解决问题的能力的。有些单片机初学者觉得看例程不好,觉得就等于看一样有罪恶感。其实对初学者来说,看例程理解例程再看例程的注解是的学习途径。实验课程设计参赛作品的时候也是可以移植程序的,不需要自己重新实现。(当然老师布置的作业还是独立完成好)要清楚,移植程序不等于学习单片机, 重要的是知道例程是怎样的框架及实现方法。初始化了哪些寄存器,了哪些引脚配置,调用了哪些函数,那些函数又是怎么实现的,设置了哪些中断,用到了哪些片上资源(UART、ADC等),查询了哪些状态,如果状态变化(触发事件)又会些什么等等。中断程序不是由程序调用,而是在中断事件发生时由操作系统调用。因为不能预知系统何时调用中断程序,故它不能改写其他程序使用的存储器,因此应在中断程序中使用局部变量。在中断程序中可以调用 子程序,累加器和逻辑堆栈在中断程序和被调用的子程序中是公用的。可采用下列方法创建中断程序:在“编辑”菜单中选择“插入”“中断”,在程序编辑器视窗中单击鼠标右键,从出菜单中选择“插入”“中断”;用鼠标右键单击指令树上的“程序块”图标,并从出菜单中选择“插入”“中断”。对一个高速计数器第二次执行HDEF指令会引起运行错误,而且不能改变次执行HDEF指令时对计数器的设置。PS:虽然下列步骤描述了如何分别改变计数方向、初始值和预置值,但完全可以在同一操作步骤中对全部或者任意参数组合进行设置,只要设置正确的SMB47然后执行HSC指令即可。初始化模式0、1或2HSC1为内部方向控制的单相增/减计数器(模式0、1或2),初始化步骤如下:1.用初次扫描存储器位(SM0.1=1)调用执行初始化操作的子程序。然后瞬时断A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断G极,指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压。若保持接通A极或T2极时断G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。